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透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗口
產(chǎn)品概述：
與X射線用氮化硅窗口類(lèi)似，透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗口也使用低應(yīng)力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小，適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規(guī)格。同時(shí)SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

現(xiàn)在SHNTI可以提供透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品，規(guī)格如下：
外框尺寸:

• 3 mm x 3 mm （窗口尺寸：0.5 mm，薄膜厚度：50 nm）
• 3 mm x 3 mm （窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：50 nm）
• 3 mm x 3 mm （窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：100 nm）
• 窗口類(lèi)別：雙縫、九窗格（3×3陣列）

邊框厚度： 200μm、381μm。 
Si3N4薄膜厚度： 50nm、100nm
SHNTI也可以為用戶定制產(chǎn)品（30-200nm），但要100片起訂。
本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品，SHNTI不建議用戶重復(fù)使用，本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗，適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。

技術(shù)指標(biāo)：
表面平整度：
我們認(rèn)為薄膜與其下的硅片同樣平整， TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為：0.6-2nm。*適用于TEM表征。

親水性
該窗格呈疏水性，如果樣品取自水懸浮液，懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機(jī)對(duì)薄膜進(jìn)行親水處理，可暫時(shí)獲得親水效果。雖然沒(méi)有對(duì)其使用壽命進(jìn)行過(guò)測(cè)試，但預(yù)期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網(wǎng)格相當(dāng)?shù)膲勖?。我們可以生產(chǎn)此種蝕刻窗格，但無(wú)法保證其使用壽命。如果實(shí)驗(yàn)室有蝕刻工具也可對(duì)其進(jìn)行相應(yīng)的處理提高其親水性能。



溫度特性：
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是耐高溫產(chǎn)品，能夠承受1000度高溫，非常適合在其表面利用CVD方法生長(zhǎng)各種納米材料。

化學(xué)特性：
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。

應(yīng)用簡(jiǎn)介和優(yōu)點(diǎn)：
1、 適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對(duì)同一區(qū)域的交叉配對(duì)表征。
2、 大窗口尺寸，適合TEM大角度轉(zhuǎn)動(dòng)觀察。
3、 無(wú)碳、無(wú)雜質(zhì)的清潔TEM觀測(cè)平臺(tái)。
4、 背景氮化硅無(wú)定形、無(wú)特征。
5、 耐高溫、惰性襯底，適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導(dǎo)體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境，（薄膜直接沉積在窗口上）。
6、 生物和濕細(xì)胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。。
7、 耐高溫、惰性襯底，也可以用于化學(xué)反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。
8、 適合做為膠體、氣凝膠、有機(jī)材料和納米顆粒等的表征實(shí)驗(yàn)承載體。

氮化硅薄膜應(yīng)用范圍非常廣，甚至有時(shí)使不可能變?yōu)榭赡?，但所有?yīng)用都有無(wú)氮要求（因樣本中有氮存在）：
惰性基片可用于高溫環(huán)境下，通過(guò)TEM、SEM或AFM（某些情況下）對(duì)反應(yīng)進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀察。
作為耐用基片，首先在TEM下，然后在SEM下對(duì)同一區(qū)域進(jìn)行“匹配”。
作為耐用匹配基片，對(duì)AFM和TEM圖像進(jìn)行比較。
聚焦離子束（FIB）樣本的裝載，我們*使用多孔薄膜，而非不間斷薄膜。


許多研究納米微粒，特別是含氮納米微粒的人員發(fā)現(xiàn)此種薄膜窗格在他們實(shí)驗(yàn)中*。氣凝膠和干凝膠的基本組成微粒尺寸極小，此項(xiàng)研究人員也同樣會(huì)發(fā)現(xiàn)氧化硅薄膜窗格的價(jià)值。
優(yōu)點(diǎn)：
• SEM應(yīng)用中，薄膜背景不呈現(xiàn)任何結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)。
• x-射線顯微鏡中，裝載多個(gè)分析樣的*方法。
• 無(wú)氮
高溫應(yīng)用，氮化硅薄膜在1000°C高溫下仍能保持穩(wěn)定的性能。

使用前清潔：
氮化硅薄膜窗格在使用前不需進(jìn)行額外清潔。有時(shí)薄膜表面邊角處會(huì)散落個(gè)別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個(gè)硅片中分離，并對(duì)外框進(jìn)行打磨，因此這些微小碎片不可避免。盡管如此，我們相信這些碎片微粒不會(huì)對(duì)您的實(shí)驗(yàn)產(chǎn)生任何影響。

如果用戶確實(shí)需要對(duì)這些碎片進(jìn)行清理，我們建議用H2SO4 : H2O2 （1:1）溶液清潔有機(jī)物，用H2O:HCl: H2O2 （5:3:3）溶液清潔金屬。

通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜，因超聲波可能使其粉碎性破裂。

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